特色
- 驱动N沟道FET全桥,包括高侧斩波能力
 - 引导电源最大电压至95VDC
 - 在+50°C的自由空气中以1MHz的频率驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为10ns
 - 用户可编程停滞时间
 - 电荷泵和自举保持上偏压电源
 - DIS(禁用)引脚将闸门拉低
 - 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
 - 极低功耗
 - 欠电压保护
 - 无铅可选
 
 
  

起订量: 1
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
 
  

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...