UCC27710DR是一款620V高侧和低侧栅极驱动器，具有0.5 A源极和1.0 A漏极电流，旨在驱动功率MOSFET或IGBT。
IGBT的推荐VDD工作电压为10-V至20-V，功率MOSFET为10-V到17-V。
UCC27710DR包括保护功能，当输入保持打开或不满足最小输入脉冲宽度规格时，输出保持低电平。联锁和延时功能防止两个输出同时打开。此外，该设备可接受从10V到20V的宽范围偏置电源，并为VDD和HB偏置电源提供UVLO保护。
该设备采用TI最先进的高压设备技术开发，具有良好的噪声和瞬态抗扰性，包括输入端的大负电压容限、高dV/dt容限、开关节点（HS）上的宽负瞬态安全工作区（NTSOA）和互锁。
该设备由一个地面参考信道（LO）和一个浮动信道（HO）组成，该信道设计用于使用自举或隔离电源操作。该设备具有快速传播延迟和两个信道之间的出色延迟匹配。在UCC27710上，每个通道由其各自的输入引脚HI和LI控制。
特色
- 高端和低端配置
- 双输入，带输出联锁和150 ns死区时间
- HB引脚上最高620V、700V绝对电压
- 10-V至20-V VDD建议范围
- 峰值输出电流0.5-A源，1.0A汇
- dv/dt 50 V/ns的抗扰度
- HS引脚上高达–11 V的逻辑操作
- -5 V输入负电压容差
- 大负瞬态安全操作区
- 两个通道的UVLO保护
- 小传播延迟（典型140纳秒）
- 延迟匹配（典型8 ns）
- 为引导操作设计的浮动通道
- 低静态电流
- TTL和CMOS兼容输入
- 行业标准SOIC-8封装
- 在-40°C至+125°C温度范围内指定的所有参数
