低压侧、高压侧和半桥电路中MOSFET和IGBT的功率驱动器。

NCP5359ADR2G
- 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏~13.2伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
- 品牌:
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1316
- 库存: 335000
- 单价: ¥1.37615
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,811.01
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规格参数
- 驱动器数量 two
- 逻辑电压-VIL、VIH 1V, 2V
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 输入类别 非反相
- 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
- 驱动器配置 半桥
- 通道类型 同步的
- 闸门类型 N通道MOSFET
- 高侧最大电压 (自举) 30伏
- 工作温度 0摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 部件状态 过时的
- 制造厂商
- 电源电压 10伏~13.2伏
- 上升/下降时长(典型值) 16ns, 15ns
NCP5359ADR2G 产品详情
MOSFET和IGBT驱动器,ON半导体
NCP5359ADR2G所属分类:栅极驱动器,NCP5359ADR2G 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。NCP5359ADR2G价格参考¥1.376151,你可以下载 NCP5359ADR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NCP5359ADR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!