描述
IR2183（4）（S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小化驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高达600伏的高压侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT。
特征
•设计用于自举操作的浮动通道完全可操作至+60V耐受负瞬态电压dV/dt免疫
•栅极驱动电源范围为10至20V
•两个通道的欠压锁定
•3.3V和5V输入逻辑兼容
•两个信道的匹配传播延迟
•逻辑和电源接地+/-5V偏移。
•较低的di/dt栅极驱动器，可提高抗噪声能力
•输出源/汇电流能力1.4A/1.8A
•也可提供无铅（PbF）
特色
- 为引导操作设计的浮动通道
- 完全运行至+600 V
- 耐受负瞬态电压
- dV/dt免疫
- 栅极驱动电源范围为10至20 V
- 两个通道的欠压锁定
- 3.3 V和5 V输入逻辑兼容
- 两个信道的匹配传播延迟
- 逻辑和电源接地+/-5 V偏移
- 较低的di/dt栅极驱动器可提高抗噪声能力
- 输出源/汇电流能力1.4A/1.8A
应用
- 电机控制和驱动
- 机器人
- 家庭和楼宇自动化
- 工业加热和焊接
- 电动工具
- 电源
- 不间断电源（UPS）
（图片：引出线）
