HIP4086ABT和HIP4086A(称为HIP4086/A)是三相N沟道MOSFET驱动器。这两个部分都专门针对PWM电机控制。这些驱动器具有灵活的输入协议,用于驱动每个可能的开关组合。用户甚至可以覆盖开关磁阻应用的直通保护。HIP4086/A具有广泛的可编程死区时间(0.5μs至4.5μs),这使得它们非常适合通常用于电机驱动的低频(高达100kHz)。HIP4086ABT和HIP4086A之间的唯一区别是HIP4086A禁用了内置电荷泵。这在需要非常安静的EMI性能(电荷泵以10MHz运行)的应用中非常有用。HIP4086ABT的优点是内置电荷泵允许高侧驱动器无限长的开启时间。为了确保高侧驱动器启动电容器在开启之前充满电,在首次应用VDD时激活可编程自举刷新脉冲。当激活时,刷新脉冲接通所有三个低侧桥FET,同时保持三个高侧桥FET,以对高侧启动电容器充电。刷新脉冲清除后,正常操作开始。HIP4086/A的另一个有用功能是可编程的低电压设定点。设定值范围为6.6V至8.5V。
特色
- 在三相桥配置中独立驱动6个N沟道MOSFET
- 自举电源最大电压高达95VDC,偏置电源为7V至15V
- 1.25A峰值关断电流
- 用户可编程停滞时间(0.5μs至4.5μs)
- 自举和可选的电荷泵保持高侧驱动器偏置电压。
- 可编程引导刷新时间
- 驱动1000pF负载,典型上升时间为20ns,下降时间为10ns
- 可编程欠压设定点