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ISL2101AABZ

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 9V~14V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 28.20246 28.20246
10+ 25.36052 253.60520
25+ 23.97353 599.33842
100+ 20.77653 2077.65350
250+ 19.71135 4927.83750
500+ 17.68684 8843.42350
1000+ 16.78624 16786.24900
  • 库存: 1034
  • 单价: ¥28.20246
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥28.20
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 电源电压 9V~14V
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 2A,2A
  • 高侧最大电压 (自举) 114伏
  • 上升/下降时长(典型值) 10ns,10ns
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 逻辑电压-VIL、VIH 1.4伏、2.2伏

ISL2101AABZ 产品详情

ISL2100A、ISL2101AABZ是100V、高频半桥N沟道功率MOSFET驱动器IC。它们基于流行的HIP2100、HIP2101半桥驱动程序,但提供了一些性能改进。ISL2100A具有额外的输入滞后,用于在噪声环境中的卓越操作,并且ISL2101A的输入,与ISL2100B的输入一样,现在可以安全地摆动到VDD供电轨。最后,这两个部件都采用非常紧凑的9Ld DFN封装,以最小化所需的PCB占地面积。

特色

  • 驱动N沟道MOSFET半桥
  • 节省空间的DFN封装
  • DFN封装符合IPC-2221规定的100V导线间距指南
  • 无铅(符合RoHS)
  • 引导电源最大电压为114VDC
  • 芯片1Ω 自举二极管
  • 多MHz电路的快速传播时间
  • 驱动1nF负载,典型上升/下降时间为10ns
  • CMOS兼容输入阈值(ISL2100A)
  • 3.3V/TTL兼容输入阈值(ISL2101A)
  • 独立输入提供灵活性
  • 无启动问题
  • 输出不受电源故障、HS低于地面或HS在高dv/dt下旋转的影响
  • 低功耗
  • 宽电源电压范围(9V至14V)
  • 电源欠压保护
  • 2.5Ω 典型输出上拉/下拉电阻


ISL2101AABZ所属分类:栅极驱动器,ISL2101AABZ 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISL2101AABZ价格参考¥28.202460,你可以下载 ISL2101AABZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISL2101AABZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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