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HIP2122FRTBZ-T是IC半桥FET驱动器9TDFN，包括半桥型，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为10ns、10ns，安装型设计用于-55°C~150°C（TJ），该设备还可以用作2个分辨率位。此外，数据接口是独立的，该设备提供反向电压供应模拟，该设备具有114V的电压供应数字，ADC DAC的数量为，Sigma Delta为8 V~14 V，S N比ADC DAC db Typ为1.4V、2.2V，动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A。
HIP2122FRTAZ-T是集成电路半桥FET驱动器10TDFN，包括114V数字电源，它们设计用于模拟逆变电源，类型如数据表注释所示，用于半桥，提供供应商设备包功能，如10-WDFN暴露焊盘、S N比率ADC DAC db Typ设计用于3.7V、7.93V、，以及8V~14V Sigma Delta，该器件也可以用作2分辨率位。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用表面贴装包装盒，其工作温度范围为10ns、10ns，ADC DAC数量为，安装类型为-55°C~150°C（TJ），动态范围ADC DAC db Typ为2A、2A，数据接口独立。
HIP2122FRTBZ是集成电路半桥FET驱动器9TDFN，包括独立数据接口，它们设计用于2A、2A动态范围ADC DAC db Typ，安装类型如数据表注释所示，适用于-55°C~150°C（TJ），提供多种ADC DAC功能，例如，其工作温度范围为10ns、10ns，以及表面安装封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，分辨率位为2，该设备提供8 V~14 V Sigma Delta，该设备具有3.7V、7.93V的S/N比ADC DAC db Typ，供应商设备包为9-WDFN暴露焊盘，类型为半桥，电压供应模拟为反相，电压供应数字为114V。
