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SIC779CD-T1-GE3是IC BUCK ADJ 40A 40MLP，包括MOSFET栅极驱动器产品，它们设计用于高侧低侧类型，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于DrMOS VRPower，以及PowerPAKR MLP66-40包装盒，该器件也可以用作DrMOS技术，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有自举电路、二极管仿真、特性状态标志和应用程序为同步降压转换器，接口为PWM，电压供应为4.5V~5.5V，供应商设备包为PowerPAKR MLP66-40，配置为非反相，输出数量为1输出，电流输出通道为40A，故障保护为过温、穿透、UVLO，输出配置为半桥，负载类型为感应式，电压负载为3V~16V，关机为关机，Pd功耗为25W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，输出电压为5V，工作电源电流为600uA，输出电流为40A，下降时间为8ns，上升时间为8s，部件号别名为SIC779CD-GE3，电源电压最大值为16V，并且电源电压Min是3V，并且驱动器的数量是1个驱动器，并且最大关断延迟时间是20ns。
SIC781CD-T1-GE3带有用户指南，包括4.5 V~5.5 V电源，它们设计用于4.5 V~16 V电压负载，类型如数据表说明所示，用于高侧低侧，提供DrMOS VRPower等商标功能，技术设计用于功率MOSFET，以及4.5 V电源电压最小值，该设备也可以用作16 V电源电压最大值。此外，供应商设备包装为PowerPAKR MLP66-40，该设备在关机关机模式下提供，该设备具有系列VRPowerR，产品为MOSFET栅极驱动器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为PowerPAKL MLP66-4，输出电压为5 V，输出电流为50 a，输出配置为半桥，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为300 uA，输出数量为1输出，驱动器数量为1驱动器，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-40℃，最大开启延迟时间为8 ns，最大关断延迟时间为20ns，最大工作温度范围为+125 C，负载类型为感应式，接口为PWM，功能为自举电路、二极管仿真、状态标志，故障保护为过热、穿透、UVLO，电流输出通道为50A，配置为非反相，应用是同步降压转换器。
SIC780ACD-T1-GE3是IC BUCK ADJ 50A 40MLP，包括同步降压转换器应用，它们设计用于50A电流输出通道，故障保护如数据表注释所示，用于超温、穿透、UVLO，提供诸如自举电路、二极管仿真、状态标志等功能，接口设计用于PWM、，与电感负载类型一样，它的最大工作温度范围为+125℃。此外，最大关断延迟时间为20 ns，设备的最大开启延迟时间为10 ns，最小工作温度范围-40℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，输出数量为2，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出配置为半桥，输出电流为50 A，封装盒为PowerPAKR MLP66-40，封装为Digi-ReelR交替封装，产品为MOSFET栅极驱动器，系列为SIC780，供应商设备封装为PowerPAKL MLP66-4，电源电压最大值为18 V，电源电压Min为4.5V，技术为DrMOS，商品名为DrMOS VRPower，类型为集成DrMOS功率级，电压负载为4.5V~18V，电源电压为4.5V~5.5V。
SIC780CD-T1-GE3是IC BUCK ADJ 50A 40MLP，包括同步降压转换器应用程序，它们设计用于表面安装安装类型，安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供部件号别名功能，如SIC780CD-GE3，系列设计用于SIC780，以及PWM接口，该设备也可以用作PowerPAKR MLP66-40封装盒。此外，供应商设备包为PowerPAKR MLP66-40，该设备提供过温、穿透、UVLO故障保护，该设备具有MOSFET栅极驱动器产品，负载类型为电感，输出配置为半桥，商品名为DrMOS VRPower，类型为DrMOS功率级，技术为DrMOS，包装为Digi-ReelR交替包装，特点为自举电路、二极管仿真、状态标志，电流输出通道为50A，工作电源电流为50A。其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），电源电压为4.5V~5.5V，电压负载为4.5V~18V，电源电压最大值为20V，电源电压Min为-0.3V。
