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SIC641ACD-T1-GE3
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SIC641ACD-T1-GE3

  • 描述:负载的类型: 电感、电容、电阻 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: PowerPAKMLP55-31L 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.83226 9.83226
10+ 8.30350 83.03500
30+ 7.46582 223.97460
100+ 6.51296 651.29600
500+ 5.77999 2889.99500
1000+ 5.59151 5591.51200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.83227
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.83
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规格参数

  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 部件状态 可供货
  • 输出配置 半桥
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 技术 功率MOSFET
  • 特点 自举电路,二极管仿真
  • 负载的类型 电感、电容、电阻
  • 应用及使用 一般用途
  • 连接口 Logic, PWM
  • 典型导通电阻 3欧姆 LS + HS
  • 输出电流 / 通道 55A
  • 峰值输出电流 100A
  • 故障保护 过电流、过温、击穿、UVLO
  • 包装/外壳 PowerPAKMLP55-31L
  • 供应商设备包装 PowerPAKMLP55-31L
  • 负载电压 16伏

SIC641ACD-T1-GE3 产品详情

Vishay Siliconix的SiC645是一款智能VRPower器件,它集成了高端和低端MOSFET以及具有集成自举FET的高性能驱动器。SiC645提供高精度电流和温度监测器,可反馈至控制器和倍增器,以完成多相DC/DC系统。它们通过消除DCR传感网络和相关的热补偿来简化设计并提高性能。通过专用的左侧控制销支持轻负载效率。业界领先的热增强、双冷却、5 mm x 5 mm PowerPAK MLP封装允许最小的PCB整体面积和低剖面结构。该设备具有3.3 V(SiC645A)或5 V(SiC6 45)兼容的三态PWM输入,与多相PWM控制器一起工作,将在异常操作条件下提供稳健的解决方案。SiC645还通过集成UVLO、过热和过流故障保护,提高了系统性能和可靠性。漏极开路故障报告引脚简化了智能VRPower设备和多相控制器之间的握手,并可用于在启动和故障条件下禁用控制器。
SIC641ACD-T1-GE3所属分类:桥式驱动器,SIC641ACD-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIC641ACD-T1-GE3价格参考¥9.832266,你可以下载 SIC641ACD-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIC641ACD-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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