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SIC642ACD-T1-GE3
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SIC642ACD-T1-GE3

  • 描述:负载的类型: 电感、电容、电阻 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: PowerPAKMLP55-31L 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 25.04090 25.04090
10+ 22.51516 225.15168
25+ 21.28549 532.13732
100+ 18.44800 1844.80050
250+ 17.50236 4375.59200
500+ 15.70476 7852.38150
1000+ 13.24498 13244.98100
3000+ 15.61015 46830.46800
  • 库存: 2990
  • 单价: ¥25.04091
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥25.04
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规格参数

  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 部件状态 可供货
  • 输出配置 半桥
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 技术 功率MOSFET
  • 特点 自举电路,二极管仿真
  • 负载的类型 电感、电容、电阻
  • 应用及使用 一般用途
  • 连接口 Logic, PWM
  • 典型导通电阻 3欧姆 LS + HS
  • 峰值输出电流 100A
  • 故障保护 过电流、过温、击穿、UVLO
  • 包装/外壳 PowerPAKMLP55-31L
  • 供应商设备包装 PowerPAKMLP55-31L
  • 输出电流 / 通道 50A
  • 负载电压 16伏

SIC642ACD-T1-GE3 产品详情

Vishay Siliconix的SiC645是一款智能VRPower器件,它集成了高端和低端MOSFET以及具有集成自举FET的高性能驱动器。SiC645提供高精度电流和温度监测器,可反馈至控制器和倍增器,以完成多相DC/DC系统。它们通过消除DCR传感网络和相关的热补偿来简化设计并提高性能。通过专用的左侧控制销支持轻负载效率。业界领先的热增强、双冷却、5 mm x 5 mm PowerPAK MLP封装允许最小的PCB整体面积和低剖面结构。该设备具有3.3 V(SiC645A)或5 V(SiC6 45)兼容的三态PWM输入,与多相PWM控制器一起工作,将在异常操作条件下提供稳健的解决方案。SiC645还通过集成UVLO、过热和过流故障保护,提高了系统性能和可靠性。漏极开路故障报告引脚简化了智能VRPower设备和多相控制器之间的握手,并可用于在启动和故障条件下禁用控制器。
SIC642ACD-T1-GE3所属分类:桥式驱动器,SIC642ACD-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIC642ACD-T1-GE3价格参考¥25.040908,你可以下载 SIC642ACD-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIC642ACD-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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