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MIC5019YFT-TR

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 高压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 2.7伏~9伏 供应商设备包装: 4-TQFN (1.2x1.2) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.55190 7.55190
  • 库存: 62603
  • 单价: ¥7.55191
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.55
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 高侧最大电压 (自举) -
  • 安装类别 表面安装
  • 输入类别 非反相
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) -
  • 上升/下降时长(典型值) -
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 制造厂商 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 通道类型 单个的
  • 驱动器数量 one
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 驱动器配置 高压侧
  • 电源电压 2.7伏~9伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 0.8伏、3伏
  • 包装/外壳 4-UDFN Exposed Pad, 4-TMLF
  • 供应商设备包装 4-TQFN (1.2x1.2)

MIC5019YFT-TR 产品详情

MIC5019YFT TR是带有集成电荷泵的高端MOSFET驱动器,设计用于在高端或低端应用中切换N沟道增强型MOSFET控制信号。

MIC5019YFT TR工作电压为2.7V至9V,从3V电源产生9.2V的栅极电压,从9V电源产生16V的栅极。该设备在关机模式下消耗低77µa的电源电流,且电源电流小于1µa。

在高端配置中,MOSFET的源极电压在接通时接近电源电压。为了保持MOSFET接通,MIC5019的输出驱动MOSFET栅极电压高于电源电压。

MIC5019YFT TR采用超小型4针1.2mm x 1.2mm薄型QFN封装,额定结温范围为-40°C至+125°C。

特色

  • 4针1.2mm x 1.2mm薄型QFN封装
  • +2.7V至+9V电源电压范围
  • VDD=9V时的16V栅极驱动
  • VDD=2.7V时的8V栅极驱动
  • 在低端和高端配置中运行
  • VDD=5V时的150µA(典型)电源电流
  • <1µA停机电源电流
  • -40°C至+125°C结温范围
MIC5019YFT-TR所属分类:栅极驱动器,MIC5019YFT-TR 由 美国微芯 (MICROCHIP) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MIC5019YFT-TR价格参考¥7.551906,你可以下载 MIC5019YFT-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MIC5019YFT-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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