MIC5021YM TR零件是由MICREL制造的驱动器1-OUT高端非Inv 8引脚SOIC N T/R，可在9icnet Electronics购买。在这里，您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的MIC5021YM TR组件经过精心挑选，经过严格的质量控制，并成功满足所有要求的标准。
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MIC5021YM是IC驱动器MOSF HI SIDE HS 8-SOIC，包括MIC5021系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表说明所示，用于高速高侧MOSFET驱动器，提供管等封装功能，单位重量设计为0.019048盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作1个输出，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，该器件的工作电源电流为1.7 mA，下降时间为400 ns，上升时间为400纳秒，电源电压最大值为36 V，电源电压最小值为12 V，封装外壳为SOIC-8，并且驱动器的数量是1个驱动器，并且最大关断延迟时间是500ns，并且最大接通延迟时间是500 ns。
带有用户指南的MIC5021BM-TR，包括非反相模拟电源，它们设计用于高压侧类型，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的供应商设备包，该设备提供了S N比率ADC DAC db Typ功能，例如0.8V、2V、Sigma Delta。该设备设计用于12V~36V以及1分辨率位，该设备也可用于磁带和卷轴（TR）包装材料此外，封装外壳为表面安装，其工作温度范围为400ns、400ns，设备具有多个ADC DAC，安装类型为-40°C~85°C（TA），数据接口为单一。
MIC5021BM是IC驱动器MOSFET HISIDE HS 8SOIC，包括单数据接口，它们设计为在-40°C~85°C（TA）安装类型下工作，ADC DAC的数量如数据表注释所示，用于a中，其工作温度范围为400ns、400ns，封装外壳设计为在表面安装以及管封装中工作，该设备也可以用作1分辨率位。此外，Sigma Delta为12 V ~ 36 V，该器件提供0.8V，2V S/N比ADC DAC db Typ，该器件具有8 SOIC（0.154“，3.90mm宽）供应商器件封装，类型为高压侧，电压供应模拟为非反相。
MIC5021BN是IC DRIVER MOSFET HI SIDE HS 8DIP，包括管封装，它们设计用于通孔封装外壳，数据接口如数据表注释所示，用于单体，提供电压供应模拟功能，如非反相，类型设计用于高压侧，以及8-DIP（0.300“，7.62mm）供应商设备包，其工作温度范围为400ns，400ns。此外，安装类型为-40°C~85°C（TA），该设备提供12 V~36 V Sigma Delta，该设备具有1个分辨率位，S N比率ADC DAC db Typ为0.8V，2V，ADC DAC数量为。
