ISL6612BECBZ

ISL6612BECBZ和ISL6613是高频MOSFET驱动器，专门设计用于驱动同步整流降压转换器拓扑中的上功率和下功率N沟道MOSFET。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET相结合，形成了先进微处理器的完整核心电压调节器解决方案。ISL6612BECBZ将上栅极驱动至12V，而下栅极可以在5V至12V的范围内独立驱动。ISL6613在5V至12V的范围内驱动上栅极和下栅极。该驱动电压提供了优化涉及栅极电荷和传导损耗之间的权衡的应用所必需的灵活性。集成了先进的自适应过零保护，以防止上部和下部MOSFET同时导通，并最小化死区时间。这些产品增加了在VCC超过其导通阈值之前可操作的过电压保护功能，在该阈值下，PHASE节点连接到低侧MOSFET（LGATE）的栅极。然后，转换器的输出电压受到低侧MOSFET的阈值的限制，如果在启动过程中上部MOSFET短路，则该阈值为微处理器提供一些保护。过温保护功能可在结温超过+150°C（通常）时关闭输出，防止因过度功耗而导致的故障。一旦其结温度恢复到+108°C（通常），驱动器就会复位。这些驱动器还具有三态PWM输入，与Intersil的多相PWM控制器一起工作，防止输出关闭时输出电压出现负瞬态。这一特性消除了肖特基二极管，该二极管在某些系统中用于保护负载免受反向输出电压事件的影响。

特色