特色
- 150°C结温
- 低集电极到发射极饱和电压
- 沟槽栅极和薄晶圆技术
- 高速切换
应用
电源管理
RJH65T14DPQ-A0#T0
- 描述:IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.28714 | 11.28714 |
| 10+ | 9.71073 | 97.10730 |
| 30+ | 8.73335 | 262.00053 |
| 90+ | 7.72444 | 695.19996 |
| 510+ | 7.10438 | 3623.23737 |
| 990+ | 6.91521 | 6846.06483 |
- 库存: 3413
- 单价: ¥11.28715
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.29
在线询价
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入类别 标准
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 门电荷 80 nC
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 最大整流电流 (Icm) -
- IGBT型 沟槽
- 最大集电极电流 (Ic) 100 A
- 最大功率 250瓦
- 试验条件 400V, 50A, 10欧姆, 15V
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TO-247A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.75V@15V，50A
- 开关能量 1.3mJ（开），1.2mJ（关）
- 开通/关断延时 (25°C) 38ns/125ns
- 反向恢复时长 (trr) 250纳秒
RJH65T14DPQ-A0#T0 产品详情
RJH60F0DPQ-A0#T0是一个600V IGBT，具有高速功率开关和内置快速恢复二极管。
RJH65T14DPQ-A0#T0 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| RJH1DF7RDPQ-80#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥37.43703 |
| RJH1BF7RDPQ-80#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJH1BF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥41.655 |
| RJH1BF7DPQ-E0#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | RJH1BF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥51.44704 |
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 | RJHSE5384 | 安费诺 (Amphenol) | 连接器类型：RJ插座 USOC代码：RJ45 端口数量：1 安装方式：弯插 屏蔽：有 LED：带LED | ¥6.02827 |
RJH65T14DPQ-A0#T0所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），RJH65T14DPQ-A0#T0 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RJH65T14DPQ-A0#T0价格参考￥11.287147，你可以下载 RJH65T14DPQ-A0#T0中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RJH65T14DPQ-A0#T0规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
