9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIS478DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIS478DN-T1-GE3参考价格为3.252美元。Vishay Siliconix SIS478DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8。您可以下载SIS478DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SIS478DN-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SiS476DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SiS476DN-GE3的零件别名，该SiS476DN/GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET以及PowerPAKR 1212-8封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR 1212-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为52W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为3595pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为2.5 mOhm@15A、10V，Vgs的最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为77nC@10V，Pd功耗为52 W，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vgs栅极-源极电压为2.3 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为2.5 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为22.5 nC。
SIS472DN-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作8.9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为28 W，该器件采用SIS472DN-GE3部件别名，该器件具有一个包装卷，包装盒为PowerPAK-1212-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为20A。
SIS472DN是VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8。SIS472DN在PowerPAK®1212-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8。
