9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STGW50NC60W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STGW50NC60W参考价格为6.87000美元。STMicroelectronics STGW50NC60W封装/规格：IGBT 600V 100A 285W TO247。您可以下载STGW50NC60W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STGW50HF60S是IGBT 600V 110A 284W TO247，包括600-650V IGBT系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装类型功能，封装盒设计用于to-247-3，以及标准输入型，该设备也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247-3，该设备为单配置，该设备最大功率为284W，集电器Ic最大值为110A，集电器-发射极击穿最大值为600V，集电器脉冲Icm为130A，最大Vge Ic上的Vce为1.45V@15V，30A，开关能量为250μJ（开），4.2mJ（关），栅极电荷为200nC，25°C时的Td为50ns/220ns，测试条件为400V、30A、10 Ohm、15V，Pd功耗为284 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.15 V，25 C时的连续集电极电流为110 A，且栅极发射极漏电流为+/-100nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
STGW50HF60SD是IGBT 600V 110A 284W TO247，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic上1.45V@15V、30A Vce下工作，单位重量如数据表注释所示，用于6500 g，提供400V、30A、10 Ohm、15V、Td等测试条件功能。25°C设计用于50ns/220ns，以及250μJ（开），4.2mJ（关断）开关能量，该装置也可用作TO-247-3供应商装置包。此外，该系列是600-650V IGBT，该器件提供67ns反向恢复时间trr，该器件的最大功率为284W，Pd功耗为284 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，最大栅极发射极电压为+/-20 V，输入类型为标准，栅极发射极漏电流为+/-100 nA，栅极电荷为200nC，集电极脉冲Icm为130A，集电极Ic最大值为110A，25℃时的连续集电极电流为110 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为1.15V。
STGW50NB60H，带有ST制造的电路图。STGW50NB 60H采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
