久芯网

WG50N65DHWQ

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 91 A 最大功率: 278 W 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威恩半导体有限公司 (WeEn)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
1200+ 14.50028 17400.34320
  • 库存: 0
  • 单价: ¥14.12366
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥43,500.86
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 200 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 50A
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 最大功率 278 W
  • 试验条件 400V, 50A, 10欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 105纳秒
  • 门电荷 160 nC
  • 制造厂商 威恩半导体有限公司 (WeEn)
  • 最大集电极电流 (Ic) 91 A
  • 开关能量 1.7mJ(开),600J(关闭)
  • 开通/关断延时 (25°C) 66ns/163ns

WG50N65DHWQ 产品详情

WG50N65DHWQ所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),WG50N65DHWQ 由 威恩半导体有限公司 (WeEn) 设计生产,可通过久芯网进行购买。WG50N65DHWQ价格参考¥14.123655,你可以下载 WG50N65DHWQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询WG50N65DHWQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部