STGW80V60DF

Name: STGW80V60DF
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7171287-STGW80V60DF
Price: 36.089444 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:IGBT型: 场终止沟道集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 469 W 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:2-3 工作日

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10+	32.05381	320.53816
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100+	27.52424	2752.42440

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规格参数

部件状态可供货
输入类别标准
安装类别通孔
集电极击穿电压 600 V
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
IGBT型场终止沟道
最大集电极电流 (Ic) 120 A
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-247
最大功率 469 W
反向恢复时长 (trr) 60 ns
最大整流电流 (Icm) 240 A
导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 80A
开关能量 1.8mJ（开），1mJ（关）
门电荷 448 nC
开通/关断延时 (25°C) 60ns/220ns
试验条件 400V, 80A, 5欧姆, 15V
包装/外壳 TO-247-3外露衬垫

STGW80V60DF 产品详情

IGBT Discretes，STMicroelectronics

特色

最高结温：T_J=175°C
无尾关闭
五、_{行政长官（sat）}=1.85 V（典型值）@I_C=80安培
紧密参数分布
安全并联
低热阻
超快软恢复反并联二极管

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STGW80V60DF所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGW80V60DF 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGW80V60DF价格参考￥36.089444，你可以下载 STGW80V60DF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGW80V60DF规格参数、现货库存、封装信息等信息！