STGWT40H65DFB

STMicroelectronics的HB系列绝缘栅双极晶体管（IGBT）的关断能量损耗比竞争对手的高频器件低40%，同时传导损耗降低30%。利用ST先进的沟槽栅极场停止高速技术，HB系列具有最小的集电极电流关断尾以及极低的饱和电压（Vce（sat）），低至1.6V（典型值），因此在开关期间和接通时将能量损失降至最低。此外，该技术控制良好，产生了紧密的参数分布窗口，提高可重复性并简化系统设计。ST的HB系列IGBT提高了太阳能逆变器、感应加热器、焊机、不间断电源、功率因数校正和其他高频功率转换器的能效。650 V的扩展额定电压确保了在-40°C的环境温度下至少600 V的击穿电压，使该设备成为在寒冷气候下销售的太阳能逆变器的理想选择。175°C的最高工作结温度和宽的安全工作区（SOA）提高了可靠性，并允许更小的散热器。选项包括30 A至80 A（100°C时）的最大额定电流、一系列流行的功率封装以及针对谐振或硬开关电路优化的共封装二极管。

特色