特色
- 短路额定值
- 雪崩等级
- 2.5V@IC=1A低饱和电压
- 258ns下降时间@TJ=150°C
- 298W总功耗@TC=25°C
应用
- 不间断电源
HGTD1N120BNS9A
- 描述:IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 5.3 A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.21537 | 7.21537 |
| 50+ | 6.48529 | 324.26465 |
- 库存: 930
- 单价: ¥7.21538
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.22
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 1200伏
- IGBT型 NPT
- 安装类别 表面安装
- 最大功率 60 W
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 门电荷 14 nC
- 最大集电极电流 (Ic) 5.3 A
- 最大整流电流 (Icm) 6 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.9V @ 15V, 1A
- 开关能量 70J (on), 90J (off)
- 开通/关断延时 (25°C) 15ns/67ns
- 试验条件 960V、1A、82欧姆、15V
HGTD1N120BNS9A 产品详情
HGTD1N120BNS9A是一种N沟道非穿通（NPT）IGBT，非常适合于在中等频率下工作的许多高压开关应用，其中低传导损耗是必不可少的，例如UPS和太阳能逆变器。它是MOS门控高压开关IGBT家族的新成员。它结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通状态传导损耗。
HGTD1N120BNS9A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | HGT4E30N60B3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥32.08605 | |
| HGT4E30N60C3S | IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26 | ¥34.33135 | |
| HGT1S14N41G3VLT | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | ¥12.81993 | |
 | HGT1S20N35F3VLR4505 | 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT | ¥11.7335 | |
 | HGT1S3N60A4DS9A | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 17 A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.02321 | |
| HGT3FS330KG3BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：3kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS470KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3AS330KA2BW | 万明 (WMEC) | 容值：33pF 精度：±10% 额定电压：1kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
| HGT3DS470KG2BW | 万明 (WMEC) | 容值：47pF 精度：±10% 额定电压：2kV 温度系数：SL | ¥0.71033 |
 | HGTG20N60A4D | 暂无 | ¥28.52264 |
HGTD1N120BNS9A所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），HGTD1N120BNS9A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。HGTD1N120BNS9A价格参考￥7.215377，你可以下载 HGTD1N120BNS9A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询HGTD1N120BNS9A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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