该器件是一种使用先进PowerMESH开发的非常快速的IGBT？技术该过程保证了切换性能和低导通状态行为之间的良好平衡。该设备非常适合谐振或软开关应用。
特色
- 低压降（V行政长官（sat）)
- 低CRES/CIES比率（无交叉传导敏感性）
STGD10NC60HT4
- 描述:集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 60 W 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.73349 | 11.73349 |
| 10+ | 10.49496 | 104.94962 |
| 100+ | 8.18447 | 818.44770 |
| 500+ | 6.76110 | 3380.55100 |
| 1000+ | 5.87486 | 5874.86100 |
| 2500+ | 5.87486 | 14687.15250 |
- 库存: 1651
- 单价: ¥10.64706
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.73
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规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 -
- 输入类别 标准
- 反向恢复时长 (trr) -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 600 V
- 最大整流电流 (Icm) -
- 安装类别 表面安装
- 最大功率 60 W
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大集电极电流 (Ic) 20A
- 供应商设备包装 DPAK
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 15V, 5A
- 试验条件 390V, 5A, 10欧姆, 15V
- 开关能量 31.8J (on), 95J (off)
- 门电荷 19.2 nC
- 开通/关断延时 (25°C) 14.2ns/72ns
- 样式 -
STGD10NC60HT4 产品详情
STGD10NC60HT4 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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STGD10NC60HT4所属分类：单绝缘栅双极晶体管（IGBT），STGD10NC60HT4 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STGD10NC60HT4价格参考￥10.647063，你可以下载 STGD10NC60HT4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STGD10NC60HT4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
