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FGA50N100BNTD2是IGBT 1000V 50A 156W TO3P，包括管封装，设计用于0.225789 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-3P-3、SC-65-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-3PN供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为156W，该设备具有75ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为50A，集电器发射极击穿最大值为1000V，IGBT类型为NPT和Trench，集电器脉冲Icm为200A，最大Vge Ic上的Vce为2.9V@15V，60A，栅极电荷为257nC，25°C时的Td为34ns/243ns，测试条件为600V、60A、10 Ohm、15V，Pd功耗为156 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1000 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为50 A，并且栅极发射极漏电流为500nA，并且最大栅极发射极电压为25V。
FGA50N100BNTDTU是IGBT 1000V 50A 156W TO3P，包括1000V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.9V@15V、60A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供to-3PN等供应商设备包功能，反向恢复时间trr设计为在1.5μs内工作，以及156W最大功率，该器件也可以用作156W Pd功率耗散。此外，包装为管式，设备采用TO-3P-3、SC-65-3包装箱，设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大栅极-发射极电压为+/-25 V，输入类型为标准，IGBT类型为NPT和沟槽，栅极-发射极漏电流为+/-500nA，栅极电荷为275nC，集电极脉冲Icm为100A，集电极Ic最大值为50A，连续集电极电流Ic最大为50A；配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为1000V，集电极/发射极饱和电压为2.5V。
FGA50N100BNTD，带有FSC制造的电路图。FGA50N100BNTD提供TO-3P封装，是IGBT的一部分-单个。
