STGF20H65DFB2

规格参数

• 高度（英寸） -
• 容量 (磅) -
• 部件状态 可供货
• 集电极击穿电压 650 V
• 输入类别 标准
• 安装类别 通孔
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 最大整流电流 (Icm) 60 A
• IGBT型 场终止沟道
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 包装/外壳 TO-220-3全套
• 最大集电极电流 (Ic) 40 A
• 最大功率 45瓦
• 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.1V @ 15V, 20A
• 试验条件 400V, 20A, 10欧姆, 15V
• 开关能量 265J (on), 214J (off)
• 门电荷 56 nC
• 开通/关断延时 (25°C) 16ns/78.8ns
• 反向恢复时长 (trr) 215纳秒
• 供应商设备包装 TO-220FP
• 材质 -