9icnet为您提供由其他公司设计和生产的HGTD3N60B3S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HGTD3N60B3S参考价格为0.48000美元。其他HGTD3N60B3S封装/规格：7A，600V，UFS N通道IGBT。您可以下载HGTD3N60B3S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如HGTD3N60B3S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HGTD1N120BNS9A是IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为在0.009184盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63等封装外壳功能，输入类型设计为标准工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-252AA供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供60W最大功率，该设备具有5.3A的集电极Ic Max，集电极-发射极击穿最大值为1200V，IGBT类型为NPT，集电极脉冲Icm为6A，最大Vge Ic上的Vce为2.9V@15V，1A，开关能量为70μJ（开）、90μJ（关），栅极电荷为14nC，25°C时的Td为15ns/67ns，测试条件为960V，1A，82 Ohm，15V，Pd功耗为60W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为5.3 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为5.3A。
HGT5A40N60A4D，带有FAIRCHILD制造的用户指南。HGT5A40N60A4D采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
HGTD1N120B，带有FAIRCHLD制造的电路图。HGTD1N120B在SOT252封装中提供，是IGBT的一部分-单个。
HGTD1N120BNS，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。HGTD1N120BNS采用TO-252-2封装，是IGBT的一部分-单体。
