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HGTD10N50F1

  • 描述:集电极击穿电压: 500 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 75 W 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 180

数量 单价 合计
180+ 12.05138 2169.24984
  • 库存: 2649
  • 单价: ¥12.05139
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,169.25
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 -
  • 输入类别 标准
  • 反向恢复时长 (trr) -
  • 安装类别 通孔
  • 开关能量 -
  • 开通/关断延时 (25°C) -
  • 试验条件 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商
  • 集电极击穿电压 500 V
  • 最大整流电流 (Icm) -
  • 最大集电极电流 (Ic) 12A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.5V @ 10V, 5A
  • 最大功率 75 W
  • 门电荷 13.4 nC
  • 包装/外壳 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备包装 I-PAK

HGTD10N50F1 产品详情

HGTD10N50F1所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),HGTD10N50F1 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。HGTD10N50F1价格参考¥12.051388,你可以下载 HGTD10N50F1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询HGTD10N50F1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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