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STGWA40HP65FB2

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 72 A 最大功率: 227 W 供应商设备包装: TO-247 Long Leads 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 23.40267 23.40267
30+ 20.76398 622.91958
  • 库存: 25
  • 单价: ¥23.40268
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥23.40
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入类别 标准
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 最大整流电流 (Icm) 120 A
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大集电极电流 (Ic) 72 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2V @ 15V, 40A
  • 最大功率 227 W
  • 开关能量 410J (off)
  • 门电荷 153 nC
  • 开通/关断延时 (25°C) -/125纳秒
  • 试验条件 400V, 40A, 4.7欧姆, 15V
  • 反向恢复时长 (trr) 140纳秒
  • 供应商设备包装 TO-247 Long Leads

STGWA40HP65FB2 产品详情

这些器件是使用先进的专有沟槽栅极场阻结构开发的IGBT。这些器件是H系列IGBT的一部分,这代表了传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,以最大化高开关频率转换器的效率。此外,轻微正V行政长官(sat)温度系数和非常紧密的参数分布导致更安全的并联操作。

特色

  • 最高结温:TJ=175°C
  • 高速开关系列
  • 最小化尾电流
  • 五、行政长官(sat)=2.1 V(典型值)@IC=40年
  • T时5μs最小短路耐受时间J=150°C
  • 安全并联
  • 超快恢复反并联二极管
  • 低热阻
STGWA40HP65FB2所属分类:单绝缘栅双极晶体管(IGBT),STGWA40HP65FB2 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STGWA40HP65FB2价格参考¥23.402677,你可以下载 STGWA40HP65FB2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STGWA40HP65FB2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

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