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FGA6560WDF是IGBT 650V 120A 306W TO-3PN，包括管封装，设计用于0.225789 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-3P-3、SC-65-3等封装外壳功能，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该设备也可以用作TO-3PN供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为306W，该设备具有110ns的反向恢复时间trr，集电器Ic最大值为120A，集电器-发射极击穿最大值为650V，IGBT类型为沟槽场停止，集电器脉冲Icm为180A，最大Vge Ic上的Vce为2.3V@15V，60A，开关能量为2.46mJ（on），520μJ（关），栅极电荷为84nC，25°C时的Td为25.6ns/71ns，测试条件为400V、60A、6 Ohm、15V，Pd功耗为306 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.8 V，25℃时的连续集电极电流为120A，栅极-发射极漏电流为400nA，最大栅极-发射极电压为30V，连续集电极电压Ic-Max为120A。
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FGA70N30，电路图由FSC制造。FGA70N30采用TO-3P封装，是IGBT的一部分-单个。
