9icnet为您提供由onsemi设计和生产的3LP01S-K-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。3LP01S-K-TL-E参考价格为0.09000美元。onsemi 3LP01S-K-TL-E封装/规格：MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP。您可以下载3LP01S-K-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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3LP01M-TL-H是MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP，包括3LP01M系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-MCP，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为150mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为7.5pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为100mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为10.4 Ohm@50mA，4V，栅极电荷Qg Vgs为1.43nC@10V，Pd功耗为150mW，下降时间为130 ns，上升时间为55 ns，Id连续漏极电流为-100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-源极电阻为10.4欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为1.43nC，正向跨导最小值为110ms。
3LP01M-TL-E是MOSFET P-CH 30V 0.1A，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.004395 oz。数据表中显示了用于1个P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及3LP01M系列，该器件也可以用作10.4欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷筒式，该设备采用SOT-323-3包装箱，该设备具有1个通道数，Id连续漏电流为-100 mA。
3LP01S，带有SANYO制造的电路图。3LP01S在SOT-523封装中提供，是FET的一部分-单个。
