9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS4465-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS4465-G参考价格为7.608美元。onsemi FDS4465-G封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8SOIC。您可以下载FDS4465-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FDS4465-G价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FDS4465是MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，零件别名如数据表注释所示，用于FDS4465_NL，提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SOIC，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为8237pF@10V，FET特性为逻辑电平门，1.8V驱动，电流连续漏极Id 25°C为13.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8.5mOhm@13.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为120nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为140纳秒，上升时间为24纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为8.5毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为300纳秒，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为70S，信道模式为增强。
带有用户指南的FDS4465_F085，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.005044盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为300 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在24 ns上升时间内提供，器件具有8.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为86 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为-13.5 A，正向跨导最小值为70 S，下降时间为140 ns。
FDS4463，带有FAI制造的电路图。FDS4463采用SOP8L封装，是IC芯片的一部分。
FDS4465_NL，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FDS4465_NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
