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IPP223NE7N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3，包括XPP023NE7系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于G IPP223NE 7N3 IPP223ne7N3GXK SP000641722的零件别名，该产品提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于OptiMOS，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用1 N信道配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为155nC，正向跨导最小值为98S，并且信道模式是增强。
IPP2023NE7N3 G是MOSFET N-CH 75V 120A TO220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为OptiMOS 3，器件的漏极-源极电阻为2.3 mOhms Rds，器件具有300 W的Pd功耗，部件别名为IPP223NE7N3GXK IPP223NE 7N3GXKSA1 SP000641722，包装为管，包装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为120 A，配置为单一。
IPP223NE7N3，带有INFINEON制造的电路图。IPP223NE7N3采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
