9icnet为您提供英飞凌技术公司设计和生产的IPP03N06N3GHKSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP332N06N3GHKSA1参考价格为12.748美元。英飞凌科技IPP032N06N3GHKSA1封装/规格:MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3。您可以下载IPP032N06N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP30N10N5AKSA1带有引脚细节,包括管封装,它们设计用于IPP30N15N5SP001227032零件别名,单位重量如数据表注释所示,用于0.211644盎司,提供通孔等安装方式功能,包装盒设计用于to-220-3,以及Si技术,该设备也可以用作1通道数量的通道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有250 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为17 ns,上升时间为15 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为120 a,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V,Rds导通漏极-漏极电阻为3.8mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为52ns,典型接通延迟时间为25ns,Qg栅极电荷为112nC,正向跨导最小值为102S,沟道模式为增强。
IPP30N10N3GXKSA1,带有用户指南,包括100 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作,晶体管类型如数据表注释所示,用于1 N沟道,提供N沟道等晶体管极性特性,商品名设计用于OptiMOS,以及Si技术,该设备也可以用作IPP300N10系列。此外,Rds漏极源极电阻为3 mOhms,该器件以G IPP30N10N3 IPP30N10 N3GXK SP000680768零件别名提供,该器件具有封装管,封装盒为TO-220-3,通道数为1通道,Id连续漏极电流为100 a。
IPP332N06N3 G,带有INFINEON制造的电路图。IPP332N06N3 G采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。
IPP332N06N3G,带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP332N06N3G提供TO-220封装,是FET的一部分-单个。