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2N7002BKM，315是MOSFET N-CH 60V 450MA SOT883，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-101、SOT-883，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及DFN1006-3供应商设备包，该设备也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型。此外，最大功率为360mW，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有50pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为450mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V。
2N7002BKM315，带有NXP制造的用户指南。2N7002BKM315在SOT883封装中提供，是FET的一部分-单个。
2N7002BKMB，带有NXP制造的电路图。2N7002BKMB在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
