9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP037N08N3GHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP037N08N3GHKSA1参考价格为11.496美元。英飞凌科技IPP037N08N3GHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3。您可以下载IPP037N08N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的产品，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPP037N08N3GHKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP037N06L3 G是MOSFET N-Ch 60V 90A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP037NO6L3GXK IPP0037N06L3GXKSA1 SP000680774中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为167 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为78 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
IPP037N06L3G是INFINON制造的MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3。IPP037N06L3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3。
IPP037N08N3 G，带有Infineo制造的电路图。IPP037N08N3 G在TO-220封装中提供，是FET的一部分-单个。
IPP037N08N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP037N08N3G在TO-220封装中提供，是FET的一部分-单个。
