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IPP557N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP557NO8N3GXK IPP557NO 8N3GXKSA1 SP000680810中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为66 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
IPP557N06N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于XPP057N06，以及G IPP557NO6N3 IPP557N3GXK SP000680808部件别名，该装置也可以用作管包装。此外，包装箱为TO-220-3，设备提供1信道数信道。
IPP557N08N，带有INF制造的电路图。IPP557NO8N可用于TO-220封装，是FET的一部分-单个。
