9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP100N08N3GHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP100N08N3GHKSA1参考价格为0.632美元。Infineon Technologies IPP100N08N3GHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 80V 70A TO220-3。您可以下载IPP100N08N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP100N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 70A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP100NO8N3GXK IPP100NO 8N3GXKSA1 SP000680856中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为46 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IPP100N06S3L-03是由INF制造的MOSFET N-CH 55V 100A TO-220。IPP100NO6S3L-03以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 100A-TO-220、N沟道55V 100V（Tc）300W（Tc）通孔PG-TO220-3-1。
IPP100N06S3L-04是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 100A TO-220。IPP100N06S3L-04以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 100A TO-220、N沟道55V 100V（Tc）214W（Tc）通孔PG-TO220-3-1。
IPP100N08N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP100N08N3G提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
