9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP052NE7N3GHKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP052NE7N3GHKSA1价格参考2.782598美元。英飞凌科技IPP052NE7N3GHKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3。您可以下载IPP052NE7N3GHKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP052NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP052NE 7N3GXK IPP052NE7N3GXKSA1 SP000641726，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为51nC，前向跨导Min为103 S 52 S。
IPP552N08N5AKSA1，带用户指南，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为7ns，漏极-源极电阻Rds为6.9mOhms，Qg栅极电荷为42nC，Pd功耗为125W，部件别名为IPP052N08N5 SP001227050，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为80 A，正向跨导最小值为52 S，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
带电路图的IPP052N06L3GXKSA1，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管中的封装，该管提供了部件别名功能，如G IPP052NO6L3 IPP052NO 6L3GXK SP000680802，系列设计用于XPP052N06，以及Si技术，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPP052NE7N3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP052NE7N3G采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
