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IPP320N3G是MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP320N20N3GXK IPP320N5GXKSA1 SP000677842,其提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1通道数的通道,该器件具有1个晶体管型N通道,Pd功耗为136 W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为4 ns,上升时间为9 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为34A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为21ns,典型接通延迟时间为11ns,Qg栅极电荷为22nC,前向跨导Min为54 S 27 S。
IPP320N20N3GPXKSA1是MOSFET N-Ch 200V 34A TO220-3 OptiMOS 3,包括1个N沟道晶体管类型,它们设计为与N沟道三极管极性一起工作,产品名称显示在数据表注释中,用于OptiMOS,提供Si等技术特性,系列设计用于XPP320N20,以及G IPP320N320N20N20N3GKK SP000677842部件别名,该装置也可以用作管包装。此外,包装箱为TO-220-3,设备提供1信道数信道。
IPP320N3G是由INF制造的MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3。IPP320N20N3G采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单体,并支持MOSFET N-CH200V 34A-TO220-3、Trans MOSFET N-CH200V 34A 3引脚(3+Tab)TO-220管。