9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFS5844NLT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFS5844NLT1G参考价格为0.43000美元。onsemi NVMFS5844NLT1G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 11.2A 5DFN。您可以下载NVMFS5844NLT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFS5834NLT3G带有引脚细节，包括NVMFS5836NL系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如DFN-5，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Id连续漏极电流为75 A，该器件的漏极-源极击穿电压为40 V Vds，漏极-漏极电阻为9.3 mOhms，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的NVMFS5834NLWFT1G，包括40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供Si等技术特性，系列设计用于NVMFS5833NL，以及9.3 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DFN-5，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型SMD/SMT，Id连续漏电流为75A。
带有电路图的NVMFS5834NLWFT3G，包括75A Id连续漏电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供DFN-5等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及9.3 mOhms Rds漏源电阻，该设备也可以用作NVMFS5834NL系列。此外，该技术为Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为40V。
