9icnet为您提供由onsemi设计和生产的CPH6347-TL-W,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。CPH6347-TL-W参考价格为0.21000美元。onsemi CPH6347-TL-W封装/规格:MOSFET P-CH 20V 6A 6CPH。您可以下载CPH6347-TL-W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,例如CPH6347-TL-W价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
CPH6341-TL-E是MOSFET P-CH 30V 5A CPH6,包括CPH6341系列,它们设计用于卷盘封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供SOT-26-6等封装盒功能,技术设计用于Si,以及1信道数的信道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 P沟道,器件提供1.6 W Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为35 ns,上升时间为26 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏电流为-5 A,Vds漏极-源极击穿电压为-30V,Rds漏极漏极-漏极电阻为59mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为45ns,典型接通延迟时间为7.5ns,Qg栅极电荷为10nC,正向跨导Min为2.8S。
带有用户指南的CPH6341-TL-W,包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计用于1 P沟道晶体管类型,晶体管极性显示在数据表注释中,用于P沟道,提供Si等技术特性,系列设计用于CPH6341,以及59 mOhms Rds漏极源极电阻,该装置也可以用作卷筒包装。此外,封装外壳为SOT-26-6,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有-5 a的Id连续漏电流。
CPH6341-TL-H,电路图由ON/SANYO制造。CPH6341-TL-H采用CPH-6封装,是IC芯片的一部分。