9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR864DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR864DP-T1-GE3价格参考1.332美元。Vishay Siliconix SIR864DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8。您可以下载SIR864DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR850DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR850DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为41.7 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为85S，沟道模式为增强。
SIR862DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为2.8 mOhms，该器件提供5.2 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为32A，并且配置为Single。
SiR850DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SiR850DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIR860-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR860-T1-GE3采用SO-8封装，是IC芯片的一部分。
