9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ36N20T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ36N20T参考价格$4.676。IXYS IXTQ36N20T封装/规格：MOSFET N-CH 200V TO3P。您可以下载IXTQ36N20T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ30N60L2是MOSFET 30安培600V，包括IXTQ30N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于线性L2，以及to-3P-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有540 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为65 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为30 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为123ns，典型接通延迟时间为43ns，Qg栅极电荷为335nC，正向跨导最小值为10S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IXTQ32N65X，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供0.238311 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为23 ns，以及58 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为49 ns，器件的漏极-源极电阻为135 mOhm，Qg栅极电荷为54 nC，Pd功耗为500 W，封装为管，封装外壳为TO-3P，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为32 A，正向跨导最小值为13 S，下降时间为28 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ30N60P是MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于25 ns，提供正向跨导最小特性，如25 S，Id连续漏电流设计为在30 a下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，设备提供1个通道数量的通道，设备具有TO-3P-3封装盒，封装为管，Pd功耗为540 W，漏极电阻Rds为240 mOhms，上升时间为20 ns，系列为IXTQ30N60，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为29ns，单位重量为0.194007oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为30V。
