9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTQ120N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTQ120N15T参考价格$4.308。IXYS IXTQ120N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 120A TO3P。您可以下载IXTQ120N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTQ110N055P是MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P，包括IXTQ110NO55系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.194007盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarHT，以及TO-3P-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为390 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为53 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为110A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为27ns，Qg栅极电荷为76nC，正向跨导最小值为23S，并且信道模式是增强。
IXTQ110N10P是MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100V，提供单位重量功能，如0.194007盎司，典型开启延迟时间设计为21纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTQ110N10，上升时间为25 ns，漏极-源极电阻Rds为15 mOhm，Qg栅极电荷为110 nC，Pd功耗为480 W，封装为Tube，封装外壳为TO-3P-3，沟道数量为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为110 A，正向跨导最小值为30 S，下降时间为25 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTQ10P50P是MOSFET-10.0安培-500V 1.000 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于44 ns，提供Id连续漏极电流功能，如10A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-3P-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为300W，Rds漏极-源极电阻为1欧姆，上升时间为28ns，系列为IXTQ10P50，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为20ns，单位重量为0.194007oz，Vds漏极-源极击穿电压为-500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTQ120N15P是由IXYS制造的MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P。IXTQ120N15P以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P、N沟道150V 120V（Tc）600W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH150V 120A-13-Pin（3+Tab）TO-3P。
