9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTP38N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTP38N15T参考价格为0.694美元。IXYS IXTP38N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 38A TO220AB。您可以下载IXTP38N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXTP36P15P是MOSFET-36.0 Amps-150V 0.110 Rds，包括IXTP36P25系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于PolarP，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为-36A，Vds漏极-源极击穿电压为-150V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为55nC，并且前向跨导Min为11S，并且信道模式为增强。
IXTP36N30P是MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds，包括5.5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于300 V，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为24 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTP36N30，上升时间为30 ns，漏极-源极电阻Rds为92 mOhm，Qg栅极电荷为70 nC，Pd功耗为300 W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为36 A，正向跨导最小值为12 S，下降时间为28 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTP36N30T是MOSFET 36 Amps 300V 110 Rds，包括36 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表中显示了用于1通道的通道数，该通道提供封装外壳功能，如to-220-3，封装设计为在管中工作，以及110 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IXTP36N30系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.081130盎司，Vds漏极-源极击穿电压为300 V。
IXTP36N20T是MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXTP36N2 0系列，该器件也可以用作60欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Id连续漏极电流为36 A，器件提供200 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有1个晶体管型N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.081130盎司。
