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IPD25N06S4L-30是MOSFET N-Ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD25NO6S4L30ATMA1 IPD25N6S4L30AATMA2 IPD25NO 6S4L30XT SP001028636，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道通道数，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为29 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为1 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为12.5nC，沟道模式为增强。
IPD25N06S2-40是MOSFET N-Ch 55V 29A DPAK-2 OptiMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为20 ns，漏极源极电阻Rds为40 mOhms，Pd功耗为68 W，零件别名为IPD25N06S240ATMA1 IPD25NO6S240ATA2 SP001063628，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为25 A，下降时间为19 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD25N06S240ATMA2带有电路图，包括1个通道数的通道，它们设计用于to-252-3封装盒。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供部件别名功能，如IPD25NO6S2-40 SP001063628。技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
