9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK80N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK80N25参考价格为2.66美元。IXYS IXTK80N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 80A TO264。您可以下载IXTK80N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK60N50L2是MOSFET N-CH 500V 60A TO-264，包括线性L2？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.264555盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于LinearL2，以及to-264-3、to-264AA包装盒，该设备也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-264（IXTK），FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为960W，漏极到源极电压Vdss为500V，输入电容Ciss Vds为24000pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为60A（Tc），Rds On Max Id Vgs为100 mOhm@30A，10V，Vgs th Max Id为4.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为610nC@10V，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为30 V，并且Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为165ns，典型接通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为610nC，并且前向跨导Min为18S，并且信道模式为增强。
IXTK62N25是MOSFET N-CH 250V 62A TO-264，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为115 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTK62N25系列，器件具有25 ns的上升时间，漏极电阻Rds为35 mOhms，Pd功耗为390 W，封装为管，封装外壳为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为62A，下降时间为15ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTK75N30是MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds，包括增强通道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了20 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，例如75 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为540 W，Rds漏极-源极电阻为42 mOhms，上升时间为25 ns，系列为IXTK75N30，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为88ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXTK600N04T2是MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET，包括管封装，它们设计用于to-264封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术功能。该系列设计用于IXTK600NO4以及HiperFET商标，该器件也可以用作250纳秒的下降时间。此外，上升时间为20 ns，该设备提供1250 W Pd功耗，该设备的单位重量为0.352740 oz，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C。
