9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTK120N25，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTK120N25参考价格为1.09美元。IXYS IXTK120N25封装/规格：MOSFET N-CH 250V 120A TO264。您可以下载IXTK120N25英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTK110N20L2是MOSFET N-CH 200V 110A TO-264，包括线性L2？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于LinearL2，以及to-264-3、to-264AA包装盒，该设备也可以用作Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264（IXTK），FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为960W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为23000pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为110A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为24 mOhm@55A，10V，Vgs最大Id为4.5V@3mA，栅极电荷Qg Vgs为500nC@10V，Pd功耗为960 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为135 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为110A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs第h栅极-源阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型导通延迟时间为40ns，Qg栅极电荷为500nC，并且前向跨导Min为55S，并且信道模式为增强。
IXTK120N20P是MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds，包括5 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于200 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型的开启延迟时间设计为30 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PolarHT商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXTK120N20，上升时间为35ns，漏极-源极电阻Rds为22mOhm，Qg栅极电荷为152nC，Pd功耗为714W，封装为Tube，封装盒为TO-264-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为120 A，正向跨导最小值为40 S，下降时间为31 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTK110N30是MOSFET 110 Amps 300V 0.026 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于30 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如110 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为730 W，Rds漏极-源极电阻为26 mOhms，上升时间为40 ns，系列为IXTK110N30，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极电压为20V。
