这一新一代MOSFET的设计旨在最大限度地降低不稳定电阻（RDS（ON）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
DMP1018UCB9-7
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: U-WLB1515-9 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥59.92776
-
数量:
- +
- 总计: ¥59.93
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规格参数
- 包装数量 -
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大栅源极电压 (Vgs) -6伏
- 最大功耗 1W（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 12伏
- 部件状态 上次购买
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7.6A (Ta)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.9 nC @ 4.5 V
- 供应商设备包装 U-WLB1515-9
- 包装/外壳 9-UFBGA, WLBGA
- 导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆 @ 2A, 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 457 pF @ 6 V
DMP1018UCB9-7 产品详情
DMP1018UCB9-7 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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DMP1018UCB9-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP1018UCB9-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP1018UCB9-7价格参考￥59.927755，你可以下载 DMP1018UCB9-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP1018UCB9-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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