9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH74N15T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH74N15T参考价格$3.142。IXYS IXTH74N15T封装/规格：MOSFET N-CH 150V 74A TO247。您可以下载IXTH74N15T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH72N20是MOSFET N-CH 200V 72A TO-247，包括IXTH72N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有400 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为72 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为24ns，沟道模式为增强型。
IXTH6N90A是MOSFET 6安培900V 1.4 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于6500 g，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH6N90系列，器件的上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为1.4欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH72N20T是MOSFET 72 Amps 200V 33 Rds，包括72 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，数据表说明中显示了用于to-247AD-3的封装盒，该to-247D-3提供了管、Rds漏极电阻等封装特性，设计为33 mOhms，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件的单位重量为0.229281盎司，该器件具有200V的Vds漏极-源极击穿电压。
IXTH72N30T是MOSFET N-CH 300V 72A TO-247，包括管封装，它们设计为与TO-247-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及IXTH72N20系列，该器件也可以用作72A Id连续漏电流。此外，Rds漏极-源极电阻为52欧姆，器件提供300 V Vds漏极源极击穿电压，器件的单位重量为0.229281盎司。
