9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH72N20，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH72N20参考价格为9.624美元。IXYS IXTH72N20封装/规格：MOSFET N-CH 200V 72A TO247。您可以下载IXTH72N20英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH6N80A是MOSFET 6安培800 V 1.4 W Rds，包括IXTH6N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有180 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6 a，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强型。
IXTH6N90是MOSFET N-CH 900V 6A TO-247，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于6500 g，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件为IXTH6N90系列，器件的上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为1.8欧姆，Pd功耗为180 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为60 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH6N90A是MOSFET 6 Amps 900V 1.4 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了60 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流功能，如6 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.4欧姆，上升时间为40 ns，系列为IXTH6N90，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为100ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为6500g，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极电压为20V。
