9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXTH62N25T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXTH62N25T参考价格为2.634美元。IXYS IXTH62N25T封装/规格：MOSFET N-CH 250V 62A TO247。您可以下载IXTH62N25T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXTH60N20L2是MOSFET LINEAR L2系列MOSFET 200V 60A，包括IXTH60N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供安装类型功能，如通孔，商品名设计用于LINEAR L2，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有540 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为60 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为26ns，Qg栅极电荷为255nC，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强。
IXTH60N15是MOSFET 60安培150V 0.033 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为85 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IXTH60N15系列，该器件具有20 ns的上升时间，漏极电阻Rds为33 mOhms，Pd功耗为275 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为60 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXTH60N25是MOSFET N-CH 250V 60A TO-247，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于17 ns，提供Id连续漏极电流特性，如60 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为400 W，漏极-源极电阻Rds为46 mOhms，上升时间为23 ns，系列为IXTH60N25，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为23ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极电压为20V。
